利潤暴跌84%,這傢巨頭半導體部門獎金停發

2024年2月6日 26点热度 0人点赞

1月31日,三星電子發佈了2023第四季度業績,期內合並營業利潤為2.82萬億韓元,同比下降34.4%,銷售額為67.78萬億韓元,同比下降3.81%。

三星電子2023財年最終核實營業利潤為6.567萬億韓元(約合人民幣354.6億元),同比減少84.86%。這是三星電子全年營業利潤自2008年全球金融危機以來時隔15年跌破10萬億韓元。三星電子全年銷售額為259萬億韓元,比上年下降14.33%;凈利潤下降72.17%至15.48萬億韓元。

三星電子表示,營業利潤連續三個季度持續改善,但遠低於市場最初預測的3萬億韓元區間。

這種下滑很大程度上是由於一直支撐其業績的半導體業務因行業衰退而遭受了巨大損失以及智能手機業務遭遇市場逆風。三星電子當天在財報電話會議上表示:“為了提高收益性,將把重點放在增加高附加值產品的銷售上。”三星將抓住對先進產品和生成式人工智能的產品不斷增長的需求,並加強智能手機和其他產品的人工智能功能。

半導體業務方面,第四季度銷售額為21.69萬億韓元,營業虧損2.18萬億韓元,超出市場預計的1.7 萬億韓元。就全年而言,三星的芯片業務在2023年從上年的23.8萬億韓元利潤轉為創紀錄的虧損14.9萬億韓元,受芯片設備需求疲軟導致的前所未有的低迷打擊。

不過,三星電子表示:由於個人電腦和移動產品的內存容量增加,以及對生成式人工智能服務器的需求增加,同時客戶庫存正常化,內存需求出現整體復蘇。特別是,三星已大幅擴大了高附加值產品的銷售,如HBM內存、DDR5、LPDDR5X和 UFS4.0等產品。這使得DRAM的位數增長(以位數計算的產量增長)高於市場水平,庫存水平也得到改善,一年來首次恢復盈利。三星表示,第四季營收和營運利潤較第三季有所改善,因存儲芯片價格回升,且高端顯示產品銷售"持續強勁"。

大和資本在1月9日的一份報告中表示,三星的收入和營業利潤預期“低於我們的市場預期”。在三星公佈業績後,大和資本表示:“我們認為,由於內存出貨量和價格的增加,內存業務的盈利將大幅改善。”

業績不佳,獎金停發

《韓國經濟日報》報道,三星釋出各大事業單位的整體績效獎金(overall performance incentives, OPI)。三星會從額外凈利提撥最多20%當預算,依據單位績效,給予員工最多年薪50%的年度分紅。OPI預定1月31日發放。

據報道,三星不打算給涵蓋半導體事業的裝置解決方案部門任何獎金,因為該單位在2023年的營運處於虧損狀態。這個部門的員工去年曾獲得相當於50%年薪的分紅。

相較之下,三星計劃對行動事業部門發放豐碩獎金。行動體驗部門(涵蓋智慧型手機)的OPI分紅最高、領到相當於50%年薪的獎金(高於去年的37%),因為Galaxy S23、Galaxy Z Fold 5等高階機種的銷售狀況良好。

另外,視覺顯示部門(涵蓋電視事業)領取的OPI則相當於年薪的43%,比例高於2023年的24%,主因Neo QLED電視系列銷售強勁,提升了整體獲利、抵銷全球電視需求疲軟的困境。

三星的280層QLC閃存

近日,有報道,在ISSCC 2024(IEEE 國際固態電路會議)期間,三星將展示其 GDDR7 內存以及 280 層 3D QLC NAND 閃存等技術。其中, 在280 層堆疊的3D QLC NAND 快閃記憶體技術方面,一旦正式推出,將成為迄今為止儲存數據密度最高的新型3D QLC NAND 閃存芯片。

從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”來看,其 280 層 1Tb QLC 閃存具有如下特征。

首先,280 層堆疊指的是該存儲器將由280 層的儲存單元垂直堆疊而成,進一步提高了儲存密度。其次,1Tb 的容量則是指該閃存的儲存容量密度為1024 G bit。第三,4b / cell 是指每個儲存單元可以儲存4 個二進位,即每數據占用0.25 個儲存單元,進一步提高了儲存密度。

第四,3D-NAND 是指該閃存所采用的是3D 堆疊技術,透過垂直堆疊儲存單元來增加儲存密度。第五則是28.5Gb / mm² 面積密度。是指每平方公厘儲存單元可儲存28.5Gb 數據,代表其儲存密度極高。最後則是3.2GB/s High-Speed 10 Rate,是指該閃存芯片讀取數據的最高速度為3.2GB/s,High-Speed 10 Rate 可能指的是某種特定的介面或傳輸協議。

根據三星 PPT 來看,QLC NAND V9 閃存可以實現最高 8TB 的 M.2 硬盤,IO 速度超過 2.4Gbps(單個芯片),原始性能可與當今 TLC 閃存直接競爭,但具體上市產品表現如何仍待觀察。

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